新突破:再生长GaN LED灯珠
2020-11-26
GaN是氮和镓的化合物。 GaN氮化镓LED灯珠是属于直接能隙之半导体材料,其能隙为3.4ev, 而aln为6.3ev, inn为2.0ev,将这几种材料做成混晶时,可以将能隙从2.0ev连续改变到6.3ev,因此可以获得从紫外线、紫光、蓝光、绿光到黄光等范围的颜色。 美国康奈尔大学联合诺特丹大学以及IQE RF LLC公司共同研发出一款再生长GaN氮化镓LED灯珠;该器件的底层结构由氮化镓衬底构成,再通过金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)工艺在其表面生长8微米厚含